Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ
Categories:
Year:
2001
Publisher:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Language:
russian
Pages:
18
File:
PDF, 505 KB
IPFS:
,
russian, 2001
Litres
Want to add your book store? Contact us at support@z-lib.do
File converter
More search results
More benefits 
Most frequently terms
Related Booklists
